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貼片mos管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)有哪些

發(fā)布時(shí)間：2021.12.14

信息摘要：

伴隨著手機(jī)、筆記本等便攜電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新，電子元件市場(chǎng)的帶動(dòng)也變得火熱起來(lái)，生產(chǎn)便攜電子產(chǎn)品離不開(kāi)電子元件，貼片MOS管就是其中最典型的代表，但貼片MOS管在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上一直都是許多電子工程所頭疼的問(wèn)題，貼片MOS管是不需要電流的，但是，在貼片MOS管的 G、 S極之間，都是結(jié)電容，那就讓貼片MOS管變得神秘莫測(cè)。

伴隨著手機(jī)、筆記本等便攜電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新，電子元件市場(chǎng)的帶動(dòng)也變得火熱起來(lái)，生產(chǎn)便攜電子產(chǎn)品離不開(kāi)電子元件， 貼片MOS管就是其中最典型的代表，但貼片MOS管在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上一直都是許多電子工程所頭疼的問(wèn)題，貼片MOS管是不需要電流的，但是，在貼片MOS管的 G、 S極之間，都是結(jié)電容，那就讓貼片MOS管變得神秘莫測(cè)。

貼片mos管

貼片MOS管在不考慮 EMI和紋波要求的情況下，可以更快更好地實(shí)現(xiàn)MOS管快速切換，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗在開(kāi)關(guān)電源總損耗中占很大比例，因此 MOS管驅(qū)動(dòng)電路的性能直接決定了電源效率。

對(duì) MOS管來(lái)說(shuō)，如果將兩個(gè) GS之間的電壓從0拉至管子開(kāi)啟電壓的時(shí)間越短， MOS管打開(kāi)的速度就越快。同樣，假如MOS管的GS工作電壓從開(kāi)啟就就降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)閉速度就越快。

貼片mos管

因此，我們可以就知道，想在更短的時(shí)間內(nèi)提高或降低GS電壓，我們需要在MOS管冊(cè)極中更大的瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流。

我們所應(yīng)用的正弦波集成ic輸出直接驅(qū)動(dòng) MOS或用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，實(shí)際上在瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流這一方面是一個(gè)重大缺陷。采用TC4420等專(zhuān)用 MOS管驅(qū)動(dòng)芯片，可以更好地驅(qū)動(dòng) MOS管，這種芯片通常具有較大的瞬時(shí)輸出電流，并與 TTL電平輸入相兼容。當(dāng)然，我們?cè)谠O(shè)計(jì)mos管驅(qū)動(dòng)電路時(shí)也需要注意以下兩點(diǎn)：

貼片mos管

1、寄生電感(這個(gè)是驅(qū)動(dòng)線路走線時(shí)產(chǎn)生的)和MOS管的結(jié)電會(huì)形成LC振蕩電路。如果芯片直接將驅(qū)動(dòng)器的輸出端連接到MOS管柵極，PWM 波的上漲和降低會(huì)造成較大的震蕩，導(dǎo)致貼片MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸。一般MOS管的方法是將10歐左右的電阻串聯(lián)在柵極上，降低LC右振蕩電路的Q值。

2、因?yàn)镸OS管柵極高輸入電阻的性能，只需細(xì)微的靜電或干擾就會(huì)使 MOS管產(chǎn)生偏移，因此建議 MOS管 G S管之間并聯(lián)一個(gè)10 K電阻來(lái)降低輸入阻抗。若擔(dān)心附近電力線的干擾耦合過(guò)來(lái)，產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管，則可在GS之間再并聯(lián)約18 V的TVS瞬態(tài)抑制二極管， TVS可被認(rèn)為是一種快速響應(yīng)的穩(wěn)定二極管，其瞬間可承受的功率高達(dá)數(shù)百至數(shù)千瓦，可用于吸收瞬間的干擾脈沖。

貼片mos管

關(guān)于貼片mos管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)有哪些就講到這了，想要了解更多二極管、mos管等半導(dǎo)體的應(yīng)用、選型知識(shí)介紹，可做收藏點(diǎn)擊咨詢服務(wù)詳詢，為您帶來(lái)更多的電子元器件行業(yè)資訊。

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