場效應(yīng)管和半導(dǎo)體三極管一樣，場效應(yīng)管的電路也有三種接法即共源極電路、共漏極電路和共柵極電路。

晶體管是電流控制器件，作放大器件用時，發(fā)射結(jié)必須正偏。場效應(yīng)管是電壓控制器件，N溝道結(jié)型場效應(yīng)管工作時G、S間必須加反向偏置電壓。

開關(guān)電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦，有可能使振蕩波形變壞，嚴(yán)重時出現(xiàn)寄生振蕩，使數(shù)千赫的振蕩頻率被數(shù)十到數(shù)百赫的低頻振蕩依次為號調(diào)制。

其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時芯片就會失效且不能恢復(fù)。

可控硅XB5560S可應(yīng)用于直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等。

可控硅XB7560S可應(yīng)用于 直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等。

可控硅XB4060S可應(yīng)用于直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等 。

光耦TD1018（T1）-G可應(yīng)用于手機充電器、電源適配器、LED電源等。

光耦TD356C（T1）-G可應(yīng)用于手機充電器、電源適配器、LED電源等。